Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ58 silicon rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ58型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH121 NPN silicon power Darlington transistor
适用范围：本规范规定了FH121型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3DK6547 high-voltage and power switching transistor
适用范围：本规范规定了3DK6547型高反压功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研究、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD260 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD260型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA510 silicon microwave pulse power transistor
发布日期：2004-08-02 实施日期：2004-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ59型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3CD030 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3CD030B～F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Guideline for application of structrually similarity of discrete semiconductor devices
适用范围：本指南为GJB 33A-1997《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。 本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件的鉴定(含鉴定扩展)和质量-致性检验。
实施日期：1999-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for semiconductor green light emitting diodes for type GF411 of GP and GT classes
适用范围：本规范规定了GF 411型半导体绿色发光二极管的详细要求。该种器件按照GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的二个等级(GP和GT级)。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Scmiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD155 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD155A～F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG252 sillcon microwave linearity transistor
发布日期：2002-10-30 实施日期：2003-03-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type PIN30 series for PIN diode
适用范围：本规范规定了PIN30系列PIN二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1995-05-25 实施日期：1995-12-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CK38 power switching transistor
适用范围：本规程规定了3CK38B～H型功率开关晶体管的详细要求,该种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP,GT和GCT级)。
发布日期：1992-11-19 实施日期：1993-05-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DD167 low-frequency and high-power transistor
适用范围：本规范规定了3DD167B～F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
Semiconductor discrete device--Detail specification for type 2CW1006~2CW1015 silicon voltage-regulator diode
适用范围：本规范规定了2CW1006～2CW1015型硅电压调整二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete device Detail specification for type CS0532 GaAs microwave power field effect transistor
适用范围：本规范规定了CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor dicrete device Detail specification for type 2CZ104 silicon switching rectifier diode
适用范围：本规范规定了2CZ104型硅开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discreted devices Detail specification for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET
适用范围：本规范规定了CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管〈以下简称器件〉的详细要求。
发布日期：1994-09-30 实施日期：1994-12-01
Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3684~CS3687 silicon N-channel junction mode field-effect transistors
适用范围：本规范规定了CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
发布日期：1997-06-17 实施日期：1997-10-01
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