SJ/T 10481-1994

硅外延层电阻率的面接触三探针测试方法

实施日期：1994-10-01

GB/T 14141-1993

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array

实施日期：1993-10-01

BS 9364 N012-1978

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1978-07-15

YS/T 15-1991

硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色性

适用范围：本标准规定了硅外延层和扩散层厚度 磨角染色达测试方法。本标准适用于薄层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的薄层厚度测量。测量范围:1～25 μm。

实施日期：1992-06-01

JB/T 5631-1991

半导体器件外延炉 能耗标准

Epitaxial furnace for semiconductor devices. Energy efficiency standard

适用范围：本标准规定了半导体器件外延炉（以下简称外延炉）能耗分等。 本标准适用于电子工业企业外延炉。

发布日期：1991-09-12  实施日期：1992-07-01

YS/T 24-1992

外延钉缺陷的检验方法

适用范围：本标准现定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于任何直径与晶向的硅外延片上高度不小4μm的钉缺陷存在与否的判断。如果钉缺陷比较少且彼此不相连,本标准可用于钉缺陷的计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。

实施日期：1993-01-01

YS/T 14-1991

导质外延层和硅交晶层厚度测量方法

实施日期：1992-06-01

GB/T 8758-2006

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference

适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 14847-1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

适用范围：本标准规定了重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。　　本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的硅外延层厚度的测量。

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-09-01

GB/T 30110-2013

空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法

Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors

适用范围：本标准规定了空间红外探测器用啼锡汞（ HgCdTe ）外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。

发布日期：2013-12-17  实施日期：2014-05-15

GB/T 11068-1989

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer--Determination of carrier concentration--Voltage-capacitance method

适用范围：本标准规定了砷化惊外延层载流子浓度电容一电压法的测量方法。本标准适用于砷化徐外延层及体材料中载流子浓度的测量。

发布日期：1989-03-31  实施日期：1990-02-01

SJ 2758-1987

同型外延层厚度的红外干涉测试方法

Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers ...

实施日期：1987-06-30

SJ/T 31110-1994

AMV－1284型硅外延炉完好要求和检查评定方法

BS 9364 N017-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1979-01-15

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

SJ 1549-1979

硅外延片

Silicon epitaxial wafers (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

GB/T 14863-2013

用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

适用范围：本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。

发布日期：2013-12-31  实施日期：2014-08-15

YS/T 23-1992

硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

适用范围：本标准规定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法。本标准适用于在<111>,<100>和<110>晶向的硅单晶衬底上生长的硅外延层厚度的测量。

实施日期：1993-01-01

GB/T 14863-1993

用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

适用范围：本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。　 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n...

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-10-01

EN 15273-1-2009

Railway applications. Gauges. Part 1:General. Common rules for infrastructure and rolling stock

实施日期：2009-12-01