GB/T 14863-1993

用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-10-01

GB/T 8758-1988

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

实施日期：1989-02-01

GB/T 14847-2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

发布日期：2011-01-10  实施日期：2011-10-01

BS 9364 N011-1978

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V,planer epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65 V,planaires epitaxiaux,classement amb

实施日期：1978-07-15

GB/T 14141-1993

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array

实施日期：1993-10-01

GB/T 14142-1993

硅外延层晶体完整性检查方法

Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques

发布日期：1993-02-06  实施日期：1993-10-01

GB/T 14146-2009

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

GB/T 8758-2006

砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide by infrared in terference

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

GB/T 14847-1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

发布日期：1993-12-30  实施日期：1994-09-01

GB/T 14141-2009

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

发布日期：2009-10-30  实施日期：2010-06-01

BS 9364 N007 and N009-1978

Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 20 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation. Full plus additional assessment level

SJ 1551-1979

硅外延层电阻率测试方法（电容－电压法）

Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) ...

实施日期：1980-06-01

GB/T 14863-2013

用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

发布日期：2013-12-31  实施日期：2014-08-15

BS 9364 N012-1978

p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon p-n-p switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation p-n-p au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1978-07-15

BS 9364 N017-1979

n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V,planar-epitaxial,umgebungsbezogen,hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V,planar epitaxial,ambient rated,hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level Transistors de commutation n-p-n au silicium a faible puissance. Specification detaillee. 65

实施日期：1979-01-15

SJ 2758-1987

同型外延层厚度的红外干涉测试方法

Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers ...

实施日期：1987-06-30

YS/T 23-1992

硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法

实施日期：1993-01-01

GB/T 11068-2006

砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method

发布日期：2006-07-18  实施日期：2006-11-01

SJ 3247-1989

同型砷化镓外延层厚度的红外干涉测试方法

Methods of measurement for extended-layer thickness of same-type Gallium arsenide by infra-red interference ...

实施日期：1989-03-25

SJ 3244.2-1989

砷化镓、磷化铟衬底与异质结外延层之间晶格失配的测量方法

Methods of measurement for crystal lattice mismatch between substrate of Gallium arsenide and Indium phosphide and extended layer of heterojunction ...

实施日期：1989-03-25