SJ/T 10065-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３３型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT33 (Applicable for certification) ...

实施日期：1991-06-30

SJ 20308-1993

半导体分立器件 ＦＨ１０２５型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Detail specification for Type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor

发布日期：1993-05-11  实施日期：1993-07-01

SJ 20055-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０２型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK102

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 50033/154-2002

半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ 50033/160-2002

半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG122 silicon UHF low-power transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 10970-1996

电子元器件详细规范 3DG3077型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components high-frequency amplification transistor for silicon NPN ambient-rated for type 3DG3077

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/145-2000

半导体分立器件3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 3DA503 silicon microwave pulse power tra istor

发布日期：2000-10-20  实施日期：2000-10-20

SJ 50033/31-1994

半导体分立器件 ＦＨ１０１型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH101 NPN silicon power Darlington transistor

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 20012-1992

半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级 ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes

发布日期：1992-02-01  实施日期：1992-05-01

SJ 20054-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０１型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK101

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ/T 10965-1996

电子元器件详细规范 3CD546型硅PNP管壳额定低频放大晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3CD546 silicon PNP for low frequency amplification

实施日期：1997-01-01

SJ 20174-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ２２２１（２２２１Ａ、２２２２、２２２２Ａ）型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2221,3DK2221A, 3DK2222 and 3DK2222A

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ/T 10973-1996

电子元器件详细规范 3DD200型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管(可供认证用)

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/122-1997

半导体分立器件CS3684～CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管 详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type CS3684~CS3687 silicon N-channel junction mode field-effect transistors

发布日期：1997-06-17  实施日期：1997-10-01

SJ/T 10964-1996

电子元器件详细规范 3DD401型硅NPN管壳额定低频放大晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated transistor for type 3DD401 silicon NPN for low frequency amplification

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10962-1996

电子元器件详细规范 3DA1514型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

实施日期：1997-01-01

SJ 20307-1993

半导体分立器件 ＦＨ６４６型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Detail specification for Type FH646 NPN silicon power Darlington transistor

发布日期：1993-05-11  实施日期：1993-07-01

SJ 50033/89-1995

半导体分立器件ＣＳ６７６８和ＣＳ６７７０型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS6768 and CS6770 silicon N-channel enhancement mode field effect transistor

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ/T 10966-1996

电子元器件详细规范 3DD100C型硅NPN管壳额定低频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD100C

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10052-1991

电子元器件详细规范 ３ＣＤ５０７硅ＰＮＰ低频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507 ...

实施日期：1991-06-30