SJ 50033/157-2002

半导体分立器件 3DA506型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA506 silicon microwave pulse power transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ 50033/156-2002

半导体分立器件 3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA505 silicon microwave pulse power transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 11056-1996

电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS1191 ...

实施日期：1997-01-01

SJ 20054-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０１型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK101

适用范围：本规范规定了3DK101型NPN硅小功率开关晶体管的详细要求。每种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、和GCT级)。

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 20174-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ２２２１（２２２１Ａ、２２２２、２２２２Ａ）型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power switching transistor of Types 3DK2221,3DK2221A, 3DK2222 and 3DK2222A

适用范围：本规范规定了3DK2221、3DK2221A、3DK2222和3DK2222A型NPN硅小功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 20058-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０５型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK105

适用范围：本规范规定了3DK105型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 50033/34-1994

半导体分立器件 Ｆ１１２９型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for type FH129 NPN silicon power Darlington transistor

适用范围：本规范规定了FH129型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/168-2004

半导体分立器件3DA509型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DA509 silicon microwave pulse power transistor

发布日期：2004-08-02  实施日期：2004-12-01

SJ 20011-1992

半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级 ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes

适用范围：本规范规定了CSl型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

发布日期：1992-02-01  实施日期：1992-05-01

SJ 50033/145-2000

半导体分立器件3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 3DA503 silicon microwave pulse power tra istor

适用范围：本规范规定了3DA503型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：2000-10-20  实施日期：2000-10-20

SJ 2700-1986

３ＤＧ２０６０型ＮＰＮ硅高频中功率晶体管详细规范

Detail specification for silicon NPN high frequency medium power transistors,Type 3DG2060 ...

实施日期：1986-10-01

SJ 3125-1988

电子元器件详细规范 ３ＤＤ２０２７型硅ＮＰＮ低频放大管壳额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD2027 ...

实施日期：1988-12-01

SJ/T 10051-1991

电子元器件详细规范 ３ＤＡ２６８８型ＮＰＮ高频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for high-frequency amplification for type 3DA2688

实施日期：1991-06-30

SJ/T 10956-1996

电子元器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS122 ...

实施日期：1997-01-01

SJ/T 10974-1996

电子元器件详细规范 3DD325型硅NPN 环境额定低频放大晶体管(可供认证用)

实施日期：1997-01-01

SJ 50033/158-2002

半导体分立器件 3DG44型硅超高频低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG44 silicon UHF low-noise transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ 20308-1993

半导体分立器件 ＦＨ１０２５型ＮＰＮ硅功率达林顿晶体管详细规范

Detail specification for Type FH1025 NPN silicon power Darlington transistor

适用范围：本规范规定了FH1025型NPN硅功率达林顿晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT、GCT级)。

发布日期：1993-05-11  实施日期：1993-07-01

SJ 50033/87-1995

半导体分立器件ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS4091~CS4093 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor

适用范围：本规范规定了CS4091～CS4093型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 50033/160-2002

半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices. Detail specification for type 3DG122 silicon UHF low-power transistor

发布日期：2002-10-30  实施日期：2003-03-01

SJ/T 11057-1996

电子元器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component--High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS142 ...

实施日期：1997-01-01